净化工程对温湿度以及压差的控制方法_澳门新葡亰官方登录
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净化工程对温湿度以及压差的控制方法

发布日期:2020-09-17 06:22 浏览次数:

环保现在已经收到了越来越多人的关注,尤其是因为近些年雾霾(雾和霾的组合词)天气的增多。净化工程是企业可以采取的环保措施之一,如何利用净化工程来做好环保工作呢?下面来说说净化工程中的控制(control)。
1、净化工程中的温湿度控制(control)
净化工程的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在满足工艺要求的条件下,应考虑到 人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势(trend)。
具体工艺对温度(temperature)的要求以后还要列举,但作为总的原则看,由于加工精度(精确度)越来越精细,所以对温度波动范围的要求越来越小。洁净室设计采用高压静电吸附除尘工作原理。静电式是采用高压静电吸附除尘的工作原理。静电场中的阴极线在高压静电的作用下,电晕层中产生大量的负离子,负离子在静电场的作用下,不断地向阳极运动。当空气中粉尘通过电场时,粉尘受到负离子的碰撞带上电荷,带上电荷后的粉尘同样受到静电场的作用,向阳极(集尘极)运动,到达阳极后释放电荷。例如在大规模集成电路生产(Produce)的光刻曝光(exposure)工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀(inflate)系数的差要求越来越小。
直径100 um的硅片,温度上升1度,就引起了0.24um线性膨胀(inflate),所以必须有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,特别是怕钠(Sodium)的半导体(semiconductor)车间,这种车间不宜超过25度。
湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时,冷却水管壁上会结露,如果发生在精密(precise)装置或电路中,就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅(silicon)片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。
相对湿度越高,粘附的难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电(是一种处于静止状态的电荷)力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅(silicon)片生产(Produce)最佳温度(temperature)范围为35—45%。
2、净化工程中的气压规定
对于大部分净化工程,为了防止外界污染侵入,需要保持内部的压力(静压)高于外部的压力(静压)。压力差的维持一般应符合以下原则:
1.压力要高于非洁净空间的压力。
2.洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。洁净室装修一般以工业铝材(不锈钢方通、喷塑方通)做框架,采用风机滤网机组FFU送风,四周采用防静电垂帘,顶部铺盖密缝盲板,形成一个密缝区,内部净化级别可达100-10万级;特别适用于车间内局部对洁净度要求高的区域,如流水线作业区的高精确度产品组装区。
3.相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。
净化工程压力差的维持依靠新风量(定义:单位时间内空气的流通量),这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。洁净工程各种空气净化设备、静压箱要清洗干净,确保无尘;各种调节装置应严密、灵活、操作方便;各种管道、自动灭火装置及空气净化设备的安装应正确、严密、牢固;初、中、高效空气过滤器与支撑框架的连接以及风管与设备的连接处应可靠封闭。所以压力差的物理意义就是漏泄(或渗透(Osmosis))风量通过洁净室的各种缝隙时的阻力。